新思科技项目主管高伟民博士作了题为《2〇纳米以下芯片制造技术里二次或多次成型的光刻技术》的报告，介绍了当前最前沿的光刻技术的发展状况，特别是二次成形光刻工艺(DPT)和计算光刻的主要技术方案和难点。报告指出光刻技术是现代芯片制造业中的最重要的技术，为了进一步缩小集成电路的尺寸，目前的解决方案是多种“分辨率增强技术”的同时应用，但即使采用了这些增强技术，布线约束，比如单向性特性，删格布线和约束线加上空间整合也不得不被逐渐地采用，增加了工艺复杂性和成本。下一代芯片的光刻技术解决方案是“双图样曝光”或者叫“二次成形光刻”(DPT),将是20mn以下芯片工艺的核心技术，另外计算光刻将对16rnn工艺的研发起到必要而有效的帮助。

　　苏思公司应用工程师冀然博士作了题为《纳米压印技术的发展与应用》的报告，介绍了新型纳米压印光刻技术SCIL在髙亮LED生产中的应用,报告指出具有高分辨率,高产能以及低生产成本优势的纳米压印光刻很有可能取代现有步进式光刻成为下一代主流光刻技术，是极紫外光刻技术最有力的竞争者。

　　比利时IMEC髙级研究员黄成军博士作了题为《基于微纳电子技术的生态化传感器技术平台》的报告，报告主要是围绕微纳生物传感器的研发现状和前景展开的。作为新的传感方式，微纳生物传感器凭^借更小、更快、更灵敏等特点已经被成功运用到葡萄1糖监测、biacore监测等领域中。

　　找电荷陷阱型MONOS存储器研究方面的进展。法国国家科学院韩相磊博士介绍了最小尺寸可达10爾纳米的垂直纳米线阵列围栅结构场效应晶体管的组降装及表征。比利时IMEC研究员陈杨胤博士介绍了f电阻存储器——技术演进和市场定位。法国原子能$研究所工程师郭纬博士报告了磁性随机存储器的原繁理、制备和应用方面的研究进展。德国RCT?SolutionsGmbH高级工程师龚纯博士报告了高效产业化多晶硅和单晶硅太阳能电池的机遇和挑战。华中科技大学周文利教授作了题为《基于碳纳米管微气泡发生器的热喷印系统》的报告。