微电子学科是整个信息学科的基础，微电子技术是国家战略性支柱产业，被誊为现代电子工业的心脏和髙科技的原动力，它的发展有力推动了电子技术、通信技术、计算机技术、自动化技术和网络技术的迅速发展，成为衡量一个国家科技进步的重要标志。未来微电子技术的发展趋势是基于22纳米以下芯片制造技术的超高速、超髙集成度、超大容量、超低功耗、高可靠性、多功能发展方向。

　　2013年8月29~30日，受教育部“春阵计划”支持，由华中科技大学、欧洲微电子论坛、全法科技工作者协会、比利时专业协会主办的国际微电子学术会议在华中科技大学举行。100多位国内外从事微电子领域相关科研、教学和产业界代表参加了此次会议，其中教育部“春晖计划”回国服务团18名成员从欧洲来武汉参会。

　　本次会议涵盖先进微电子材料与器件、先进集成电路设计方面的关键科学问题，特别是微电子技术在低功耗计算芯片、新型信息存储器、20纳米以下芯片制造技术、硅太阳能电池、通信芯片设计、光发射机芯片设计、基因测序芯片、复杂系统的可视化数字模拟等方面的创新与进展。

　　法国科学院研究员、巴黎南大学赵巍胜教授作了题为《基于自旋电子的低功耗计算》的报告，报告了磁存储器MRAM的发展、演变、现状与未来，以及基于自旋电子的低功耗计算等前沿学术进展。赵巍胜教授认为，随着计算芯片集成度和计算速度的增加,降低逻辑计算芯片的功耗是关键技术难题，能够进行逻辑运算的磁存储器将改变计算机及可重置逻辑电路计算架构等。华中科技大学缪向水教授作了题为《相变存储器及忆阻器》的报告,介绍了硫系化合物作为一种性能优异的半导体材料在相变存储器、忆阻器、存储和计算融合及类神经元突触功能器件方面的研究进展。缪向水教授特别提出传统计算机架构中，信息存储器和处理器是分离的，总线是连接存储器和处理器的信息传递通道，其有限的数据传输速率被称为“冯?诺依曼瓶颈'严重限制了计算机的发展。而人脑的信息存储和处理没有明显的界限，人脑中包含了多达千万亿个突触，突触是人脑进行信息存储和处理的基本单元，突触可塑性被认为是人脑记忆和学习功能的重要基础。忆阻器作为一种新型存储器，是具有记忆功能的非线性电阻，其电阻值能够随电荷流经的方向和数量发生变化。忆阻器的这一特性极其类似于人脑突触的连接强度在生物电信号刺激下的自适应调节，可用来研制类脑存储器芯片，实现类似于人脑突触的信息存储和处理一体化功能，将为构建突破“冯?诺依曼瓶颈”的新型计算机体系结构提供一种崭新的方法和思路。缪向水教授还介绍了团队在基于硫系化合物材料的忆阻器中成功实现类似于人脑的活动时序依赖突触可塑性功能的重要进展。